Afin d’améliorer le rendement de conversion de ses cellules photovoltaïques, le Japonais s’est attelé à réduire les pertes résistives dans les contacts électriques. Mitsubishi Electric annonce avoir obtenu des rendements de conversion photoélectrique records avec des cellules photovoltaïques (PV) en silicium polycristallin (ou multicristallin).
Pour ce faire, le Japonais s’est attelé à réduire les pertes résistives entre les wafers et les électrodes, responsables d’une déperdition d’énergie sous forme de chaleur.
La méthode a consisté à traiter le dit wafer avant la formation des électrodes, et ce afin d’améliorer les performances des contacts électriques. De fait, vis-à-vis des cellules PV de génération antérieure, les pertes résistives auraient été abaissées de quelque 4 %.

En appliquant cette technique, Mitsubishi est parvenu à obtenir un rendement de conversion de 19,3 % avec des cellules PV en silicium polycristallin de 15 cm de côté, pour une épaisseur de 200 µm. Soit un gain de 0,2 point par rapport à l’existant.
Avec un substrat silicium polycristallin ultra-fin (100 µm), les résultats sont encore plus probants. Le rendement de conversion de 18,1 % est en effet ici amélioré de 0,7 point.