Proposé dans un format standard, ce module “six-pack” de 1200 V/50 A vise à améliorer les performances des solutions traditionnelles exploitant des modules IGBT silicium. Cree introduit son second module faisant exclusivement appel à des composants, Mosfet et diodes Schottky, en carbure de silicium.
Référencé CCS050M12CM2, ce module “six-pack” de 1200 V/50 A (le premier produit tout SiC de l’américain prenait la forme d’un bras de pont de 1200 V/100 A) est notamment conçu pour les onduleurs solaires, les alimentations à découpage et de secours (UPS). Le produit est présenté dans un boîtier standard de 45 x 108 mm.

Par rapport aux solutions actuelles faisant appel à des modules IGBT silicium, l’apport du carbure de silicium se traduirait par une diminution jusqu’à 70 % de la taille du dissipateur, ou par un accroissement de 50 % de la densité de puissance.
Par ailleurs, la possibilité de monter à des fréquences de commutation jusqu’à cinq fois supérieures se traduit notamment par des composants inductifs moins volumineux et plus économiques.