La faible épaisseur de 0,75 mm affichée par le redresseur 12 A de Diodes facilitera son intégration dans un panneau solaire photovoltaïque. A destination des panneaux solaires, Diodes introduit une diode bypass de 12 A mettant à profit la technologie brevetée dite SBR (Silicon super barrier) de la société.
Rappelons que dans un générateur photovoltaïque, avec un agencement en série des cellules PV, de telles diodes ont pour fonction de protéger les cellules de la surchauffe lorsque celles-ci sont partiellement ou entièrement à l’ombre.

Référencée SBR12U45LH, la diode est encapsulée dans un boîtier PowerDI-5SP axial (les terminaisons sont de longueur 9 mm), dont l’une des particularités tient à sa faible épaisseur, soit 0,75 mm seulement.
Ce qui facilitera l’intégration du composant dans le panneau solaire, sans faire usage d’une boîte de jonction séparée.
A une température de 125 °C, la tension directe de la diode est limitée à 0,38 V à 12 A. La plage de température de fonctionnement est -65 °C à +200 °C.