De nombreux montages de conversion de puissance reposent sur des briques élémentaires identiques, notamment des couples de transistors montés en demi-pont ou en source commune. D’où l’arrivée sur le marché de boîtiers réunissant deux transistors de puissance, à l’instar des derniers SCZ40xxDTx et SCZ40xxKTx de Rohm, qui comprennent deux transistors SiC (carbure de silicium) dans un module moulé. « Cette conception permet l’utilisation de puces de grande taille, qui étaient structurellement difficiles à loger dans le boîtier TO-247, ainsi que l’obtention d’une faible résistance à l’état passant grâce à une structure interne unique », explique Rohm. Concrètement, par rapport à un montage équivalent à base de boîtiers TO-247, ces modules offrent selon Rohm 15% de résistance thermique et 50% d’inductance en moins, et une densité de puissance 2,3 fois supérieure dans une configuration en demi-pont. Les SCZ40xxDTx et SCZ40xxKTx sont disponibles en volume, et des versions automobiles conformes AEC-Q101 seront échantillonnées en octobre.