Des tensions plus élevées, des commutations plus rapides, des montages plus compacts : voilà en résumé ce à quoi aspire onsemi avec sa nouvelle plateforme technologique vGaN, basée sur des transistors en nitrure de gallium verticaux. Une innovation marquante, qui pourrait étendre le champ d’application du GaN jusqu’à des domaines jusqu’ici réservés au carbure de silicium (SiC) ou à des process silicium matures et robustes – l’alimentation des centres de données, les véhicules électriques, les énergies renouvelables, ainsi que le militaire et l’aéronautique. L’Américain échantillonne déjà des transistors 700V et 1200V auprès de quelques clients, et assure que ces transistors voient leurs pertes réduites de près de moitié.
La majeure partie des composants en nitrure de gallium sont bâtis sur des substrat différents (généralement du silicium ou du saphir) qui imposent d’utiliser des transistors latéraux. onsemi a, lui, recours à des tranches de GaN-sur-GaN (grâce à un process propriétaire mis en œuvre dans son usine de Syracuse dans l’Etat de New York), rendant possible la construction de transistors dans lesquels le courant circule verticalement à travers la puce plutôt qu’horizontalement à sa surface. Cette verticalité permet de manipuler des courants supérieurs, de densifier la puce, d’améliorer la stabilité thermique et d’assurer des performances stables même dans des conditions extrêmes.
