Fairchild soigne le rendement énergétique de ses DrMOS

Le 01/06/2011 à 17:52 par Philippe Dumoulin

Associant une paire de Mosfet et leur circuit de commande, les modules de la famille Generation II XS sont crédités de rendements jusqu’à 93 % ou 94 %, selon la référence. Fairchild Semiconductor annonce la seconde génération de ses modules de puissance de la famille XS.
Incluant les Mosfet et leur étage de commande (ce que l’on appelle des DrMOS) dans le même boîtier, ceux-ci combinent un excellent rendement énergétique et une densité de puissance élevée.
Les nouveaux venus sont optimisés pour les topologies de convertisseurs DC-DC synchrones de type buck, fonctionnant avec une fréquence de découpage jusqu’à 1 MHz.
A des tensions d’entrée et de sortie de 12 V et 1 V, respectivement, le rendement crête des XS est, selon la référence, de 93 % ou 94 % à 10 A.
Dans les mêmes conditions, mais sous forte charge (25 A), les rendements restent élevés puisque compris entre 89 % et 91,5 %.

Une compatibilité avec les spécifications DrMOS 4.0 d’Intel

Pour l’heure, quatre modèles sont proposés : les FDMF6705 (40 A), FDMF6705V (40 A), FDMF6706C (45 A) et FDMF6707B (50 A).
La compatibilité avec la plupart des contrôleurs PWM du marché est assurée par la présence d’une entrée PWM trois états (niveau logique de 5 V ou 3,3 V, selon le produit).
Une sortie en collecteur ouvert délivre une alarme en cas de température excessive.
Les DrMOS Generation II XS sont disponibles dans des boîtiers PQFN à clip de cuivre, dont les dimensions sont de 6 x 6 mm.
Ces modules trouveront leur juste emploi dans les serveurs lames, les ordinateurs portables ou de bureau, les cartes graphiques et les convertisseurs DC-DC de point de charge.
Par 1000 pièces, les prix unitaires sont de 2,86 $ (FDMF6705), 2,92 $ (FDMF6705V), 3,3 $ (FDMF6706C) et 3,95 $ (FDMF6707B).

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