Infineon diminue la résistance de ses transistors Mosfet de puissance

Le 22/11/2021 à 11:30 par Frédéric Rémond

C’est une nouvelle technologie de transistors Mosfet de puissance qui est mise en œuvre dans les circuits OptiMOS 6 100V lancés par Infineon Technologies. L’Allemand a obtenu une amélioration de 18% de la résistance à l’état passant et de plus de 30% du facteur de mérite en comparaison des OptiMOS 5. A titre d’exemple, dans un montage de conversion abaisseur-élévateur 600W ZVS délivrant une tension de 12V, un transistor OptiMOS 6, avec sa résistance de 2,2mΩ, permet de gagner un point de rendement par rapport à un OptiMOS 5 à 2,7mΩ, soit 7W de moins à dissiper. Les OptiMOS 6 conviennent aux alimentation à découpage et aux montages de gestion de batterie, par exemple dans des applications télécoms et photovoltaïques. Ces circuits sont proposés en boîtier SuperSO8 de 5x6mm et PQFN de 3,3×3,3mm.