Selon une étude d’IDTechEx, les transistors IGBT en silicium qui équipent les montages de puissance automobile depuis deux décennies s’apprêtent à céder la place aux transistors en nitrure de gallium (GaN) et en carbure de silicium (SiC). L’une des raisons en est l’adoption de batteries 800V appelées à remplacer les modèles 350-400V afin d’accélérer la recharge (même si les installations de bornes de recharge rapide DC sont encore très rares) et d’améliorer les rendements de commande en diminuant l’effet Joule dans les câbles. Ce marché embryonnaire des plateformes automobiles 800V est aujourd’hui dominé par Hyundai qui en détient près de la moitié avec ses Ioniq 5 et Kia EV6. Avec ces modèles grand public, le Sud-Coréen, qui se fournit chez Infineon et Vitesco mais aussi, depuis peu, chez onsemi et STMicroelectronics, se démarque des architectures 800V jusqu’ici réservées aux modèles de luxe, chez Porsche notamment. Les transistors SiC 1200V devraient être largement utilisés dans ces montages 800V, y compris dans les modèles chinois.