Les Mosfet 800V de ST réduisent leurs pertes en commutation

Le 15/10/2021 à 10:00 par Frédéric Rémond

STMicroelectronics a amélioré plusieurs paramètres au sein de ses transistors de puissance Mosfet STPOWER afin d’en augmenter le rendement énergétique. Premier membre de cette famille MDmesh K6 800V, le STP80N240K6 présente ainsi une résistance à l’état passant RDS(on) de seulement 0,22Ω et une charge de grille totale Qg de 25,9nC, parmi les meilleures du marché selon le fabricant franco-italien. Il trouvera par exemple sa place dans des topologies flyback au sein de pilotes de Led et d’éclairage ou dans des adaptateurs et blocs d’alimentations pour écrans plats.

Le STP80N240K6 sera produit en volume à partir de janvier 2022, en boîtier DPAK et TO-220FP, et vendu 1,013$ pièce par lots de 1000. Le reste de la famille MDmesh K6 sera introduit dans le courant de l’année prochaine, avec des résistances à l’état passant variant de 0,22Ω à 4,5Ω et diverses options de boîtiers traversants et montables en surface.