En adoptant des batteries fonctionnant sous 800V, les véhicules électriques imposent aux composants de puissance de repousser leurs limites, ce qui favorise les transistors en carbure de silicium. Qorvo a ainsi présenté à PCIM une quatrième génération de transistors de puissance SiC 1200V référencés UF4C/SC. Ces circuits conviennent aux architectures de bus 800V que l’on retrouve dans les chargeurs automobiles embarqués, mais aussi dans des chargeurs et alimentations industriels, des convertisseurs DC-DC photovoltaïques, des instruments de soudure ou encore des applications de chauffage à induction.
La famille est déclinée sur quatre valeurs de résistance à l’état passant (23, 30, 53 et 70mΩ), avec un facteur de mérite RDS(on).Qg de 0,9Ω.nC. Leur prix unitaire par lots de 1000 varie de 5,71$ pour l’UF4C120070K3S (23mΩ) à 14,14$ pour l’UF4SC120023K4S (70mΩ).
