
Au nombre de 24, les BM2xxx/F intègrent un Mosfet 650 V à superjonction, caractérisé par une faible résistance à l’état passant.
Selon la société, un tel choix se révèle pertinent pour obtenir un boîtier de grande compacité. Et ce dans la mesure où la miniaturisation des Mosfet planaires, tels qu’utilisés dans les solutions courantes, s’avère plus délicate en raison de problèmes de dissipation de la chaleur.
Selon la référence, les BM2xxx/F conviennent aux applications de 8 W, 13 W, 19 W ou 25 W. Proposés en boîtiers CMS ou à broches de type DIP7, ils sont dotés de diverses protections.
Des échantillons de tous ces circuits sont dès à présent disponibles, pour une mise en production en septembre.