ST compacte ses modules de puissance SiC

Le 15/09/2022 à 8:54 par Frédéric Rémond

STMicroelectronics soigne la compacité de ses modules de puissance à transistors en carbure de silicium (SiC). Le fabricant présente deux modules à Mosfet SiC 1200V en boîtier ACEPACK 2, l’un pour les montage à pont complet (A2F12M12W2-F1), l’autre pour les topologies à trois niveaux de type T (A2U12M12W2-F2). Les Mosfet embarqués présentent une résistance à l’état passant de seulement 13mΩ par puce.

Le boîtier compact ACEPACK 2 bénéficie d’un substrat aluminium avec liaisons directes en cuivre et de connexions externes de type press fit qui simplifient l’assemblage dans des environnements difficiles. Il fournit une isolation de 2,5kV et dispose d’un capteur de température NTC intégré. Les deux modules sont vendus chacun 235,2$ pièce.

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