Oeuvre de SemiSouth Laboratories, cette carte permet une évaluation rapide des performances offertes par les Jfet en SiC de la société. La configuration cascode rend possible l’utilisation de drivers de Mosfet du commerce. SemiSouth Laboratories, le spécialiste américain des composants de puissance en carbure de silicium, annonce une carte de démonstration mettant en valeur les performances de ses Jfet en SiC.
Il s’agit en l’occurrence du SJDP120R085, un modèle 1200 V (27 A à 25°C, 17 A à 100°C) dont la résistance à l’état passant est de 85 mOhms max.
Dans une configuration de type cascode, le Jfet est ici commandé via un Mosfet connecté à sa source, afin que des drivers du commerce puissent être utilisés.

Aux fins d’évaluation, cette carte référencée SSJHB12R085-1 est exploitable comme étage de puissance dans différentes applications : convertisseurs buck ou boost, onduleurs, alimentations de secours…
Disponible auprès des distributeurs et des représentants de la société (la liste se trouve à cette adresse), la carte est fournie avec des fichiers Gerber et une nomenclature.