Le Si8499DB de l’américain est crédité d’une résistance à l’état passant entre 32 et 120 mOhms, pour une tension drain-source comprise entre -4,5 V et -1,8 V. Encapsulé dans un boîtier-puce dit Micro Foot, dont les dimensions sont de 1,5x1x0,59 mm, le Si8499DB est présenté par Vishay Intertechnology comme étant le Mosfet de puissance 20 V canal P affichant la plus petite résistance à l’état passant du marché.
Pour des tensions grille-source de -4,5 V et -2,5 V, cette RDS(on) est de 32 mOhms et 46 mOhms, respectivement. Ce qui, par rapport aux Mosfet 20 V canal P de même empreinte, représente des gains de 50 % et 35 %.
Ce transistor en tranchée est également spécifié à -1,8 V, auquel cas la résistance à l’état passant n’excède pas 120 mOhms. La charge de grille est quant à elle de 14,5 nC typ. Enfin, à température de boîtier de +25°C, le courant maximal de drain est de 16 A (13,7 A à +70°C).
Le Si8499DB est d’ores et déjà disponible en volume. Il trouvera son juste emploi comme commutateur de charge ou de batterie dans un appareil portable (téléphone cellulaire, PDA, lecteur mp3…).
