X-Fab inaugure la troisième génération de sa plateforme XbloX (XSICM03) dédiée à la production de transistors Mosfet en carbure de silicium (SiC). D’après le fondeur, ce process offre une réduction de la résistance à l’état passant qui permet de produire jusqu’à 30% de puces supplémentaires par tranche. En outre, le développement est accéléré par le PIK (process installation kit) fourni par X-Fab, qui ferait gagner jusqu’à neuf mois dans la mise en œuvre d’une famille de transistors SiC.