Les transistors SiC de Microchip montent à 1700V

Le 16/08/2021 à 10:02 par Frédéric Rémond

Objectif : remplacer les transistors de puissance IGBT en silicium.

Les véhicules électriques, les convertisseurs de puissance industriels ou encore les redresseurs photovoltaïques sont dans le collimateur d’une nouvelle famille de transistors en carbure de silicium (SiC) de Microchip Technology. Ces modèles 1700V constituent une alternative aux IGBT silicium traditionnels, dont la fréquence de découpage bien inférieure implique des montages plus complexes et alourdis par des passifs (notamment des transformateurs) imposants.
Selon Microchip, ces transistors de puissance SiC se distinguent de la concurrence grâce à la grande stabilité de l’oxide de grille (pas de dérive de la tension de bascule après des tests R-UIS de 100000 impulsions de découpage inductif), et une courbe plus plate de la résistance à l’état passant entre 0°C et 175°C.