Après avoir obtenu un rendement de 135 lm/W avec cette technologie en avril dernier, Bridgelux a réussi à développer un prototype de LED GaN sur silicium délivrant 160 lm/W. Sur le papier, en terme de rendement lumineux, les LED de puissance basées sur la croissance de GaN sur des tranches de silicium en guise de substrat, n’ont déjà plus grand chose à envier aux LED de puissance conventionnelles qui, elles, utilisent des substrats de saphir ou de carbure de silicium (SiC). En effet, l’américain Bridgelux a-t-il récemment dévoilé une LED utilisant cette technologie dont le rendement atteint pas moins de 160 lm/W à 350 mA en blanc neutre (4350 K) et 125 lm/W en blanc chaud (2940 K).

Mais les dernières LED en GaN sur silicium de Bridgelux demeurent des prototypes et leur production est peu probable avant au moins deux ans. Mais ce nouveau pas que vient de franchir l’américain est important car il démontre le potentiel de cette technologie en termes de performances.

Rappelons que la technologie sur tranches de silicium offre en théorie l’avantage d’un coût beaucoup moins élevé que celui des technologies existantes de part son substrat bon marché. Le dernier prototype dévoilé par l’américain est d’autant plus prometteur de ce point de vue qu’il a été réalisé sur une tranche de silicium standard de 200 mm de diamètre. Autrement dit : la fabrication des LED devient potentiellement compatible avec les lignes automatisées de semi-conducteurs existantes.