Les Led de puissance sur substrat silicium de Toshiba disponibles à la distribution

Le 19/08/2013 à 23:49 par Magazine Electroniques

TTI commercialise les Led blanches de puissance en GaN sur tranches de silicium du japonais. Le silicium est un matériau bien moins onéreux que le corindon ou le SiC généralement utilisé comme substrat pour les Led. Après la commercialisation fin 2012 par Toshiba des premières Led blanches de puissance en GaN sur substrat de silicium, ces composants sont désormais disponibles via le canal de la distribution, en l’occurrence par le biais de TTI.

Rappelons que la technologie de puces Led en GaN sur substrat de silicium s’avère très prometteuse pour l’avenir car elle est potentiellement beaucoup moins onéreuse que celle utilisée pour fabriquer les puces Led blanches de puissance conventionnelles réalisées, elles, sur substrat de saphir ou de carbure de silicium (SiC).

Les Led CMS 1 W de la série TL1F1 délivrent un flux lumineux typique compris entre 85 et 112 lm pour un courant direct de 350 mA. Encapsulées en boîtier CMS de 6,4 x 5,0 x 1,35 mm, elles présentent un indice de rendu des couleurs de 80 et une température de couleur se situant entre 3000 et 5000 K.