Cette évolution de la gamme Power Topled IR à 850 nm de l’allemand délivre une puissance de 80 mW sous un courant de fonctionnement de 70 mA. Osram Opto Semiconductors enrichit sa gamme de LED Power Topled IR à 850 nm avec deux modèles survitaminés référencés SFH 4258S (angles d’émission de +/-15°) et SFH 4259S (angles d’émission de +/-25°) destinés aux applications de sécurité et de détection de mouvement dans les lieux publics et les bâtiments. Encapsulées en boîtiers CMS avec lentille, ces LED presentent en effet la particularité de délivrer une puissance optique de 80 mW à 850 nm sous 70 mA, soit 80 % de plus que les modèles Power Topled IR standard, alors que la taille du boîtier n’a pas changé.

Pour cela, l’allemand a utilisé une technologie de puce émissive en couche mince agrémentée du procédé Nanostack. Grâce à ce procédé, il est possible de réaliser des puces émissives en couche mince disposant non pas d’une mais de deux jonctions p-n dont la croissance a été effectuée l’une sur l’autre. Ce qui implique un fonctionnement à une tension doublée par rapport à celle des modèles conventionnels.

Grâce à ces performances, un même système de sécurité et de détection de mouvement utilisera un nombre plus restreint de composants pour une réduction du coût global. A noter que le choix d’une longueur d’onde de 850 nm est basé sur un bon compromis entre maximum de sensibilité spectrale des caméras CCD et Cmos et émission lumineuse invisible à l’oeil nu.