Plessey Semiconductors annonce l’échantillonnage de Led sur silicium

Le 12/04/2013 à 18:58 par Magazine Electroniques

Le britannique affirme être le premier à échantillonner des LED sur substrat de silicium potententiellement moins onéreuses que les LED conventionnelles. Enfin, le second, car Toshiba l’a devancé en décembre dernier. Plessey Semiconductors annonce l’échantillonnage de LED blanches sur substrat de silicium fabriquées à partir de tranches de 6 pouces de diamètre. Selon la société britannique, il s’agirait des premières LED en nitrure de gallium (GaN) produites sur tranches de silicium (GaN-on-Si). Toutefois, en décembre dernier, Toshiba avait surpris le petit monde des LED en annonçant lui aussi la production des premières LED blanches de puissance en GaN sur substrat de silicium.

Au delà de la petite guéguerre qui s’annonce quant à la paternité de cette technologie, c’est surtout l’intérêt des fabricants de Led pour cette technologie qu’il faut souligner ici, technologie censée donner naissance à des LED blanches bien moins coûteuses que les LED traditionnelles qui, elles, utilisent des substrats en corindon ou en carbure de silicium (SiC).

Les échantillons du britannique sont produits sur sa ligne de fabrication de Plymouth exploitant une technologie GaN-on-Si basée sur des tranches de 6 pouces (150 mm) et baptisée 6-inch MAGIC (Manufactured on GaN I/C).