Plessey Semiconductors vise lui aussi les LED sur substrat de silicium

Le 20/03/2012 à 18:18 par La Rédaction

Le fondeur britannique vient de racheter la technologie de son compatriote CamGaN qui permet la réalisation potentielle de LED blanches 80 % moins onéreuses que les LED blanches conventionnelles. Après l’américain Bridgelux et l’allemand Osram Opto Semiconductors, c’est au tour du fondeur britannique Plessey Semiconductors, anciennement Plus Semi, de se lancer dans l’aventure des LED blanches sur substrat de silicium.

La société vient en effet d’acquérir la technologie de son compatriote CamGaN, une start-up issue d’un essaimage de l’université de Cambridge spécialisée dans le développement de LED en technologie GaN sur substrat de silicium. Cette technologie est censée reduire de 80 % le coût de production des LED blanches par rapport aux modèles traditionnels qui, eux, utilisent des susbtrats de corindon ou de carbure de silicium (SiC).

L’objectif de Plessey est de produire des LED GaN sur substrat de silicium dans son site de production de Plymouth (sud de l’Angleterre) qui travaille à partir de tranches de silicium de 6 pouces de diamètre (150 mm). Actuellement, les LED GaN sont fabriquées à partir de substrats de corindon ou de SiC de 2, 3 ou 4 pouces de diamètre.

Plessey espère pouvoir développer d’ici à la fin de l’année des prototypes dotés d’un rendement lumineux de 150 lm/W, soit une valeur peu ou prou équivalente à celles obtenues récemment par Bridgelux et Osram.

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