Ces Led à base de GaN sur substrat de silicium, fabriquées à partir de tranches de 200 mm de diamètre, présentent des performances améliorées par rapport à la première génération de Led GaN sur Si du japonais et se rapprochent tout doucement de celles des Led de puissance conventionnelles sur substrat de corindon ou de SiC.
Il y a à peine un an, Toshiba avait créé la sensation en commercialisant la première Led de puissance à base de puces en GaN sur substrat de silicium, avec la promesse de faire baisser les coûts de production des Led de puissance grace à l’emploi du silicium en guise de substrat en lieu et place du substrat de corindon ou de carbure de silicium (SiC), fort onéreux, des Led conventionnelles.
Aujourd’hui, le japonais confirme son avance technologique sur ce créneau en dévoilant la 2ème génération de ses Led de puissance sur substrat de silicium qui affichent des performances améliorées par rapport à la première génération. Ainsi, la série TL1F2 délivre-t-elle un flux lumineux compris entre 104 et 135 lumen, pour un courant direct de 350 mA, là où les modèles de la série TL1F1 se contentaient de 85 à 112 lumens dans les mêmes conditions d’utilisation.
La nouvelle gamme a également élargi la plage de température de couleur corrélée qu’elle est capable de couvrir qui va désormais de 2700 à 6500K, avec un IRC (indice de rendu des couleurs) évoluant entre 80 et 70 respectivement, alors que la première génération couvrait le spectre 3000 à 5000K.
Les séries TL1F1 et TL1F2 sont en revanche toutes les deux encapsulées en boîtier CMS de seulement 6,4×5,0 mm, pour une hauteur de 1,35mm et fonctionnent sous une tension directe typique de 2,85 V (pour un courant direct standard de 350 mA). Par ailleurs, la température de fonctionnement de la dernière-née s’étend de -40°C à +100°C, ce qui lui permet une utilisation en intérieur comme en extérieur, dans des lampes, des plafonniers, des réverbères ou des projecteurs.
La production de volume des Le TL1F2 est programmée pour le mois prochain..
