Toshiba lance des diodes Schottky en SiC de seconde génération

Le 13/05/2016 à 10:52 par Philippe Dumoulin

Par rapport à la génération précédente de diodes Schottky du japonais, la densité de puissance a été augmentée jusqu’à 50%.

Toshiba Electronics Europe a dévoilé une série de diodes Schottky exploitant sa technologie carbure de silicium de seconde génération. Ces composants offrent une densité de puissance jusqu’à 50% supérieure à celle des diodes de première génération de la société. Par ailleurs, des pointes de courant direct plus élevées peuvent être encaissées.

Les premières diodes introduites sont des modèles de 650V affichant des courants nominaux de 4A (TRS4E65F), 6A (TRS6E65F), 8A (TRS8E65F), et 10A (TRS10E65F). Ces composants sont proposés dans des boîtiers TO-220 à deux broches et TO-220 isolé à deux broches également.

Ces diodes Schottky conviendront aux applications de commutation rapide, incluant la correction du facteur de puissance, aux onduleurs photovoltaïques et aux alimentations secourues (UPS). Dans les alimentations à découpage, elles se substitueront aux diodes conventionnelles en silicium afin d’améliorer le rendement énergétique.