Premières Dram 1anm gravées aux EUV chez SK Hynix

Le 16/08/2021 à 9:59 par Frédéric Rémond

Le Sud-Coréen adopte la lithographie aux ultra-violets extrêmes pour la production en volume de ses Dram LPDDR4 de génération 1znm.

SK Hynix a entamé la production en volume de mémoires Dram LPDDR4 en process 1anm, sa quatrième génération de technologie 10nm après 1x, 1y et 1znm. Ces mémoires devraient être livrées aux fabricants de smartphones au deuxième semestre 2021. C’est la première fois que le Sud-Coréen utilise des équipements de lithogaphies aux ultra-violets extrêmes (EUV) pour la production en volume.
Par rapport à la génération 1znm, ces Dram 1anm devraient être 25% plus compactes et 20% moins énergivores, avec une vitesse de transfert culminant à 4266Mbit/s. A compter de l’an prochain, ce process de gravure EUV sera appliqué aux mémoires Dram DDR5 du fabricant.