L’Asie consommerait 70% de la production mondiale de circuits intégrés dès 2011, et les mémoires PRAM et STT-MRAM seraient les prochaines vedettes. Dixit Joo-Tai Moon, senior vice president de Samsung Electronics.

Le remplacement des tranches de silicium de diamètre 300 mm par des tranches de diamètre 450 mm pour la production de circuits intégrés avait été programmé pour 2012 par Intel, Samsung et TSMC, ces trois groupes agissant de concert. Lors de la manifestation Semicon Korea (2 – 5 février 2010), Joo-Tai Moon, senior vice president de Samsung Electronics a apporté des précisions à ce changement, en déclarant que la production à partir de tranches de 450 mm deviendrait prédominante dès 2015, selon ce que rapporte notre confrère Digitimes.

M. Moon a également annoncé que l’Asie représenterait 70% de la consommation mondiale de circuits intégrés dès 2011. Au plan de l’intégration des nouvelles technologies (reconnaissance vocale, intelligence artificielle…), le président prévoit que les locomotives seront les secteurs de l’automobile, du médical et des robots.
En ce qui concerne l’évolution des mémoires, il estime que les mémoires RAM à changement de phase (PRAM) et les STT-MRAM (Spin Torque Transfert – MRAM pour mémoire RAM magnétique à transfert de moment de spin) seront les vedettes de demain. Toutefois, M. Moon prévoit aussi un possible goulot d’étranglement concernant la réduction homothétique des largeurs de trait (shrink) du fait d’une diminution de performance liée à l’augmentation du nombre de bits par cellule.