Intel, Samsung et TSMC commenceront à les utiliser lors de leur transition au noeud technologique 14 nm, vers 2015. Mais des problèmes demeurent non résolus comme la réalisation de métallisation uniforme à la surface de tels wafers.

L’utilisation de tranches de silicium (wafers) de diamètre 450 mm contre 300 mm actuellement est prévue mais il demeure un flou quant à la date de la transition. C’est ce qui ressort de la Citi Technology Conference qui s’est tenue à New York, du 6 au 8 septembre 2011, selon David Lammers.

Intel, Samsung et TSMC ont annoncé qu’ils commenceraient à utiliser des wafers de 450 mm de diamètre lors de leur passage au nœud technologique 14 nm, vers 2015.
Selon George Davis (photo), directeur financier d’Applied Materials : “Applied va commencer à livrer des outils dédiés au 450 mm en 2012“. Ce groupe a décidé d’investir quelque 100 millions de dollars l’an prochain pour la mise au point de matériels dédiés au 450 mm.

Pour Rick Hill, Pdg de Novellus Systems : “il n’est pas question d’envisager un passage au 450 mm avant d’avoir des équipements à l’ultra-violet extrême (EUV) économiquement viables“. Or, actuellement, les systèmes EUV ne pourraient traiter, en pratique, que six wafers par heure…
Et il reste des problèmes à résoudre pour le 450 mm comme le maniement de tels wafers parce qu’ils sont plus lourds, et comme l’obtention d’une métallisation d’épaisseur uniforme à la surface de ces plaques.