X-Fab lance un process BCD-sur-SOI 180nm 375V

Le 28/10/2021 à 10:51 par Frédéric Rémond

X-Fab Silicon Foundries SE a mis au point un process 180nm BCD-sur-SOI à isolation en tranchées profondes (DTI) supportant une tension de 375V. Baptisé XT018, cette technologie de production, unique dans l’industrie selon X-Fab, convient à la fabrication de circuits pour l’imagerie médicale par ultrasons, les capteurs connectés reliés au secteur ou encore l’automobile. Par rapport à un process BCD (qui mêle des transistors bipolaires, Cmos et Dmos) classique, le BCD-sur-SOI apporte selon X-Fab plusieurs avantages : immunité au phénomène de latch-up, sensibilité réduite aux perturbations électromagnétiques, gestion simplifiée des transitoires négatifs, etc.