Ces deux transistors Hemt GaN sont des modèles de moyenne et de forte puissance.

Cree annonce l’échantillonnage de deux transistors Hemt en nitrure de gallium.

Le premier, référencé CGH40006P, est un modèle 6 W fonctionnant jusqu’à 6 GHz. Il trouvera son juste emploi comme driver ou comme amplificateur de moyenne puissance dans une topologie large bande.
Avec une tension d’alimentation de 28 V, un amplificateur de démonstration mettant à profit ce transistor a permis d’obtenir un gain de 12 dB en petits signaux et une puissance de 8 W en régime de saturation. Le tout avec un rendement en puissance ajoutée (PAE) excédant 50 % dans une bande de 2 à 6 GHz.

Le second transistor est le CGH31240F destiné aux applications radar dans la bande S, soit de 2,7 à 3,1 GHz. Il s’agit là d’un modèle de forte puissance développant 240 W à 2,8 GHz, sous 28 V et en régime pulsé. Son rendement PAE en saturation est alors de 50 %, pour un gain de 10,6 dB.