Les derniers transistors LDmos de forte puissance de l’américain satisfont aux exigences des architectures Doherty, dans lesquelles deux amplificateurs fonctionnant en classe AB et C sont combinés. Freescale Semiconductor complète son catalogue de transistors de puissance RF avec trois LDmos dédiés aux émetteurs des stations de base cellulaires. Plus précisément, ces composants trouveront leur juste emploi dans les amplificateurs de puissance à porteuses multiples, utilisés en configuration Doherty dans les bandes 1,8 ou 1,9 GHz.

Les MRF8S18260H/S, MRF8S19260H/S et MRF8P18265H/S sont issus de la génération HV8 (High-voltage eighth generation) de transistors LDmos de la société. Adaptés en interne, tous sont susceptibles de fonctionner en classe AB ou C.
Ils délivrent de forts niveaux de puissance : 260 W (entre 1805 et 1880 MHz, CW) et 245 W (entre 1930 à 1990 MHz, CW) sous 30 V à 1 dB de compression pour les deux premiers cités, 280 W (entre 1805 à 1880 MHz, CW) à 3 dB de compression pour le dernier. Robustes, les nouveaux venus supportent des taux de désadaptation élevés (10:1) à puissance de sortie maximale.
Tous ces transistors sont d’ores et déjà en production.