Pour les applications LTE et GSM à porteuses multiples, les LDmos de la famille Airfast combinent un niveau de puissance inédit, un rendement amélioré et une bande passante accrue. En particulier, l’un de ces transitors est le premier LDmos 48 V spécifiquement développé pour les infrastructures de communication sans fil. A destination des stations de base LTE ou multistandard, Freescale Semiconductor a dévoilé une nouvelle famille de transistors de puissance RF baptisée Airfast.
D’un côté, le modèle AFT09VP350N est le premier LDmos 48 V spécifiquement conçu pour les applications GSM et LTE exploitant la bande de fréquence 720 MHz à 960 MHz.
Dans une configuration classique de type Doherty, la puissance crête délivrée est ici de +57 dBm (500 W). Soit un niveau de puissance quasi doublé par rapport aux solutions LDmos actuelles dont l’empreinte est similaire. Selon la société, le nouveau venu remplace les deux ou trois boîtiers aujourd’hui requis pour obtenir une telle performance.
Entre 920 MHz et 960 MHz, à une puissance moyenne de 50 W en Doherty, ce transistor affiche un rendement de 49 % et un gain de 19 dB. Le tout en se conformant aux exigences en matière de linéarité de la norme GSM à porteuses multiples.

De l’autre, le modèle AFT26HW050GS est un LDmos 28 V pour les stations de base (micro/metro) LTE. Incluant dans le même boîtier deux transistors adaptés, le nouveau venu couvre la bande 2,5 GHz à 2,7 GHz.
Dans la partie haute de ce spectre et dans une structure Doherty, la puissance crête fournie est +47 dBm (50 W). A une puissance moyenne de 8 W, le gain est de 15,5 dB et le rendement de 48 %.
Lorsqu’une technique de prédistorsion numérique est mise en oeuvre, vis-à-vis des solutions LDmos antérieures de Freescale, il est possible selon ce dernier de bénéficier d’un rendement amélioré de quelque 7 points.
L’échantillonnage des AFT09VP350N et AFT26HW050GS est envisagé pour le second trimestre 2012. Des conceptions de référence seront par ailleurs proposées.