Infineon optimise ses transistors RF pour la réalisation de LNA à 5 GHz

Le 02/07/2012 à 19:05 par Philippe Dumoulin

Ces transistors robustes et peu bruyants tirent profit d’un procédé HBT SiGe:C. Les applications Wi-Fi à 5 GHz sont essentiellement visées. Avec la série BFx840xESD, Infineon Technologies introduit des transistors RF bénéficiant du procédé SiGe:C de huitième génération de l’allemand.
Ces composants sont destinés à la réalisation d’amplificateurs faible bruit (LNA) dans les produits électroniques grand public Wi-Fi (IEEE 802.11a/n/ac) fonctionnant dans la bande 5 à 6 GHz.
Ces transistors HBT offrent un gain de 22 à 23 dB à 10 mA, pour un facteur de bruit compris entre 0,65 et 0,85 dB à 5 GHz.

Les BFP840ED, BFP840FESD et BFR840L3RHESD sont également caractérisés par une grande robustesse. Ils offrent ainsi une protection de 1,5 kV (avec un modèle corps humain) contre les décharges électrostatiques et supportent un niveau de 20 dBm.
Enfin, ils sont susceptibles de se contenter d’une tension d’alimentation de 1,2 V.
Les formats de boîtiers proposés sont : SOT-343, TSFP-4-1 et TSLP-3-9. Ce dernier est crédité d’une faible épaisseur (0,31 mm), en vue d’une intégration dans des modules RF.