A destination des applications mobiles 3G, les amplificateurs de puissance tout Cmos de Black Sand Technologies visent à concurrencer les modèles GaAs actuels. Black Sand Technologies, une start-up texane spécialisée dans le développement d’amplificateurs de puissance RF en Cmos, annonce la disponibilité prochaine de ses premiers produits destinés aux applications mobiles 3G.
Ceux-ci se présentent comme une alternative aux amplificateurs GaAs actuels. Avec, selon la société, des avantages en termes de coût et de fiabilité (pas de phénomène d’emballement thermique notamment).
Ces amplificateurs, au nombre de six, compatibles 3GPP W-CDMA, HSDPA et HSUPA, sont encapsulés dans des petits boîtiers à 10 broches, dont les dimensions sont de 3 x 3 mm.
D’un côté, les éléments de la série BST34 sont compatibles broche à broche avec les PA actuels. Ils intègrent un coupleur directionnel, délivrent jusqu’à 28 dBm, avec un rendement de 40 %, et sont protégés contre les courts-circuits et les températures excessives.
Par ailleurs, ces amplificateurs se révèlent particulièrement robustes, dans la mesure où ils soutiennent des taux de désadaptation d’impédance jusqu’à 100:1.
La série se compose des BST3401 (bande 1, 1920-1980 MHz), BST3402 (bande 2, 1850-1910 MHz) et BST3404 (bandes 4-9-10, 1710-1755 MHz, 1749,9-1784,9 MHz et 1710-1770 MHz).
De l’autre, les circuits de la série BST35 affichent des performances similaires. Ils incluent un détecteur de puissance de précision “TrueDelivered” et sont censés améliorer la puissance rayonnée maximale de quelque 2 dB. La série inclut les BST3501 (bande 1), BST3502 (bande 2) et BST3504 (bandes 4, 9 et 10).
Les BST3401 et BST3501 (de même que des cartes d’évaluation) seront échantillonnés en février prochain. Tous les autres circuits le seront au deuxième trimestre 2011.
