Le transistor en GaN sur diamant de TriQuint Semiconductor annonce la prochaine génération d’amplificateurs RF à très forte densité de puissance. TriQuint Semiconductor annonce avoir produit les premiers transistors HEMT (high electron mobility transistor) en GaN sur substrat de diamant.
Cette avancée technologique annonce une future génération d’amplificateurs de puissance RF jusqu’à trois fois plus petits, ou délivrant jusqu’à trois fois plus de puissance, que les solutions actuelles tirant profit du GaN.
L’intérêt du diamant réside dans sa forte conductivité thermique. Ce qui permet de faire chuter la température de fonctionnement des semi-conducteurs, tout en conservant d’excellentes performances RF.
La démonstration a été réalisée par TriQuint et ses différents partenaires (l’Université de Bristol, Group4 Labs, Lockheed Martin) dans le cadre d’un projet de la Darpa, l’agence américaine pour les projets de recherche avancée de défense.