Dans la bande des 5,8 GHz, le dernier transistor bipolaire à hétérojonction de Renesas Electronics affiche un facteur de bruit de 0,75 dB seulement. Renesas Electronics a levé le voile sur un transistor bipolaire à hétérojonction (HBT) à ultra-faible bruit à destination des applications WLan, satellitaires et assimilées.
A 5,8 GHz, le facteur de bruit du NESG7030M04 est en effet de 0,75 dB seulement. Cela représente 0,35 dB de moins que les transistors HBT SiGe de précédente génération de la société.
Quant au gain, il est typiquement de 14 dB à VCE=2 V et Ic=7 mA.
Pour ce faire, le nouveau venu tire le plus grand profit d’un procédé SiGe:C optimisé pour les applications hyperfréquences (fréquence de transition de 100 GHz).
Le bénéfice immédiat est une amélioration de la sensibilité du récepteur. En outre, la réduction des erreurs de transmission des signaux va permettre d’abaisser la consommation énergétique, sans contrepartie sur les performances.
Le NESG7030M04 est actuellement en phase d’échantillonnage, pour une mise en production au mois de novembre, à raison de 1 million d’unités par mois (à terme 50 millions d’unités par mois).
