Les derniers transistors en GaN sur SiC de M/A-COM Technology Solutions constituent une alternative moins onéreuse aux composants avec semelle métallique. M/A-COM Technology Solutions introduit une famille de transistors réalisés selon une technologie nitrure de gallium sur carbure de silicium.
Leur particularité est liée à leur encapsulation dans des boîtiers plastique de type DFN dont les dimensions sont de 3 x 6 x 0,9 mm. Ces transistors constituent de ce fait une alternative moins onéreuse aux composants pourvus d’une semelle métallique.

Fonctionnant jusqu’à 3,5 GHz, les MAGX-000035-01500P, MAGX-000035-05000P et MAGX-000035-09000P délivrent respectivement 15 W, 50 W et 90 W, en mode pulsé et sous 50 V.
Outre les excellentes caractéristiques électriques et thermiques, la société met en exergue une fiabilité accrue.
Les radars, les communications satellitaires, les amplificateurs TDMA et ultra-large bande sont les cibles visées.