
Ce transistor LDmos référencé BLF888A a été réalisé selon un procédé haute tension 50 V. Il développe 600 W en mode pulsé (avec un rapport cyclique de 10 %). Avec un signal DVB-T, il est susceptible de délivrer une puissance moyenne de 120 W et ce en étant crédité d’un rendement supérieur à 31 %.
Caractérisé par une excellente linéarité, le BLF888A affiche un gain de 21 dB. Il supporte par ailleurs des désadaptations de charge correspondant à un rapport d’ondes stationnaires jusqu’à 40:1. Enfin, sa résistance thermique jonction-boîtier est de 0,15 K/W.
Ce transistor, actuellement échantillonné, est proposé en deux versions (BLF888A et BLF888AS) se différenciant par la forme du boîtier céramique (avec ou sans trous de fixation).