Le via silicium RF moins inductif

Le 30/09/2009 à 16:13 par Jean -François Desclaux

Jazz Semiconductor vient de dévoiler une technologie de via qui gagnerait un ordre de grandeur sur l’inductance parasite.

Jazz Semiconductor vient d’annoncer, sous l’appellation Deep-Silicon-Via (DSV), une technologie d’interconnexion mise au point pour son procédé de production de circuit en SiGe BiCmos 0,18µm. Ce procédé destiné principalement à la réalisation de circuit autour d’un amplificateur de puissance obtient avec cette méthode d’interconnexion la possibilité d’avoir une masse reliée par une très faible inductance.

La société assure que cette méthode est particulièrement adaptée à la fabrication collective sur tranches silicium de grand diamètre, contrairement à la précédente héritée de techniques développées pour des tranches d’arséniure de gallium de faible diamètre.

L’inductance introduite par la technologie DSV serait de l’ordre de 2pH ce qui correspond selon Jazz Semiconductor à une réduction d’un ordre de grandeur par rapport à ce qui est possible actuellement. Cette technologie faciliterait également l’intégration de composants de polarisation comme les résistances.