Les derniers transistors HEMT en GaN de l’américain sont crédités d’un fort gain, d’un excellent rendement et d’une grande robustesse vis-à-vis des désadaptations d’impédance. A l’occasion de la manifestation European Microwave Week, qui s’est tenue récemment à Amsterdam, TriQuint Semiconductor a dévoilé une série de quatre transistors de puissance RF réalisés selon une technologie nitrure de gallium sur carbure de silicium.

D’un côté, les T1G6003028-FS/FL (avec ou sans embase) délivrent 30 W à 6 GHz et sous 28 V, pour un gain de 14 dB.
De l’autre, les T1G4003532-FS/FL fonctionnent sous une tension de service de 32 V. Ils fournissent 37 W à 3,5 GHz. A cette fréquence, leur gain est de 16 dB en régime linéaire. Quant au rendement en puissance ajoutée, il est voisin de 60 % à 3,5 GHz et à 3 dB de compression.
Tous ces transistors visent une large palette d’applications large bande, civiles ou militaires (radars, radio professionnelles, instrumentation de test, guerre électronique…).