Macom échantillonne des transistors de puisssance en GaN pour les stations de base

Le 24/02/2016 à 10:03 par Philippe Dumoulin

Conçus pour couvrir les bandes cellulaires entre 1,8 et 3,8GHz, ces transistors en GaN de quatrième génération offrent notamment des gains en rendement et en bande passante par rapport aux LDMOS.

L’américain Macom annonce la famille MAGb de transistors de puissance en nitrure de gallium de quatrième génération (Gen4), optimisés pour les stations de base cellulaires. Toutes les bandes de fréquence entre 1,8 et 3,8GHz seront à terme couvertes. Des transistors “single-ended” (asymétrique), doubles et en configuration Doherty jusqu’à 700W crête seront proposés. Vis-à-vis des LDMOS, la société fait état de gains importants en rendement (jusqu’à 10%) et en taille de boîtier (jusqu’à 15%).

Les premiers produits introduits seront les MAGB-101822-120B0S et MAGB-101822-240B0S. Le premier cité prend la forme d’un transistor permettant d’obtenir une bande passante de 500MHz entre 1,7 et 2,2GHz. Encapsulé dans un petit boîtier céramique AC-400, il délivre plus de 160 W crête avec un rendement maximal de 74%. Le second, en boîtier céramique AC-780, offre pour sa part une puissance deux fois supérieure (320W crête), un gain linéaire de 19dB et un rendement maximal de 72%. L’échantillonnage auprès de clients qualifiés a démarré.