Conçus pour les amplificateurs de puissance jusqu’à 6 GHz, ces transistors HEMT délivrent en sortie des puissances de 10 W à 40 W. Mitsubishi Electric a dévoilé une série de trois transistors à effet de champ de type HEMT à base de nitrure de gallium (GaN). Cette annonce confirme l’engagement de la société dans un tel domaine. Rappelons en effet que Mitsubishi a annoncé en février dernier les premiers transistors HEMT GaN du marché, dédiés aux transmissions par satellite dans la bande des 4 GHz.

Non adaptés, les nouveaux venus sont quant à eux destinés à la réalisation d’amplificateurs de puissance dans les bandes L à C jusqu’à 6 GHz. Les applications MMDS/UMTS/WiMAX sont ici plus particulièrement visées.
Ces transistors délivrent en sortie des puissances de 10 W (MGF0840G), 20 W (MGF0843G) ou 40 W (MGF0846G). Fonctionnant sous une tension drain-source de 47 V, ils affichent un rendement en puissance ajoutée aux alentours de 50 % à 2,6 GHz. En fonctionnement linéaire, les gains sont compris entre 12 dB et 14 dB.