Réalisé selon le procédé GaN sur substrat de silicium de la société, le NPT1015 fait montre d’une grande robustesse dans une large bande. Nitronex a qualifié le NPT1015, un transistor RF réalisé selon le procédé GaN sur silicium, dit Sigantic, de la société.
Ce transistor HEMT (High electron mobility transistor) large bande (de 0 à 2,5 GHz) fournit 50 W, à une tension de service de 28 V et une fréquence de 2,5 GHz.
En saturation, il délivre un gain de 12 dB et un rendement en puissance ajoutée de 61 %.
Quant à la résistance thermique jonction-boîtier de 2,1 °C/W, elle serait l’une des plus basses de l’industrie, dans la gamme de puissance considérée.
Robuste, ce transistor est capable de résister à de forts taux de désadaptation (15:1).
Les systèmes de communication militaires, les applications de brouillage et de guerre électronique, les infrastructures sans fil, les radars en bande L…. sont les principaux marchés visés par le NPT1015.