
Ce circuit est présenté dans un boîtier WLCSP (wafer level chip scale package) dont les dimensions sont de 0,65 x 0,44 x 0,2 mm seulement.
De surcroît, il se contente de deux composants passifs externes, à savoir une inductance pour l’adaptation et un condensateur de découplage.
Selon la société, cela se traduit par un encombrement sur la carte de 38 % inférieur à la plus petite solution actuelle.
Réalisé selon la technologie BiCmos SiGe:C dite QUBiC4Xi de la société, le BGU8006 affiche un facteur de bruit de 0,6 dB. Son gain est de 17,5 dB, alors que son point de compression à 1 dB est situé à -8 dBm.
Il requiert une tension d’alimentation comprise entre 1,5 V et 3,1 V. Sa consommation est de 3,5 mA en mode actif, pour moins de 1 µA à l’arrêt.
Echantillonné ce trimestre, le BGU8006 sera produit en volume en fin d’année.
Notons que NXP propose également le BGU8007 conditionné dans un boîtier SOT886 de 1,45 x 1 x 0,5 mm.