Les transistors de puissance RF Gen8+ de la société ciblent essentiellement le marché des stations de base TD-LTE. NXP Semiconductors annonce sa nouvelle génération de transistors LDMOS, dite Gen8+, optimisés pour les stations de base sans fil, notamment celles supportant le standard TD-LTE.
Le premier modèle introduit est le BLC8G27LS-160AV, un transistor de 160 W en configuration Doherty asymétrique.

Ce LDMOS constituerait la solution la plus petite et la moins onéreuse pour la réalisation d’amplificateurs de puissance RF, destinés aux stations de base dans la bande 2496 à 2690 MHz.
Un avantage économique justifié par l’adoption d’un boîtier ACP (air cavity plastic), bien moins onéreux qu’un modèle en céramique.
La famille Gen8+ entend couvrir initialement la bande entre 2,3 et 2,7 GHz. Les premiers LDMOS sont actuellement échantillonnés auprès de clients qualifiés.