La société a dévoilé à IMS2011 plusieurs amplificateurs de puissance exploitant une technologie GaN sur substrat SiC, pour des performances RF et thermiques optimales. A l’occasion de la manifestation IMS2011 qui se tient actuellement à Baltimore, NXP Semiconductors a levé le voile sur plusieurs produits RF exploitant une technologie nitrure de gallium (GaN).
Il est ici question d’un amplificateur large bande de 50 W (CLF1G0530-50) couvrant la bande 500 MHz à 3 GHz, d’amplificateurs en configuration Doherty destinés aux stations de base sans fil à 2,1 GHz et 2,7 GHz et d’un amplificateur de 100 W (CLF1G2535-100) pour la bande 2,5-3,5 GHz.
Le procédé GaN sur substrat SiC mis en œuvre a été développé conjointement avec UMS et l’institut allemand Fraunhofer.
Des échantillons de ces amplificateurs de puissance, qui vont venir compléter un catalogue de produits Ldmos, sont d’ores et déjà disponibles. Leur mise en production étant pour sa part envisagée en fin d’année.