Avec la famille RF724x, couvrant les bandes W-CDMA 1, 2, 4, 5 et 8, l’américain annonce (sans plus de précision) des rendements améliorés, compris entre 48 % et 51 %. Par ailleurs, la société a dévoilé une plate-forme pour adresser le segment du mobile 3G d’entrée de gamme. A l’occasion du Mobile World Congress qui se tient actuellement à Barcelone, RF Micro Devices a dévoilé la famille RF724x d’amplificateurs de puissance à destination des smartphones et autres produits nomades conformes HSPA+.

Ces PA avec coupleur directif sont caractérisés par un rendement crête compris entre 48 % et 51 %. Ce qui, pour reprendre les termes de la société, constitue une amélioration significative vis-à-vis de l’existant.
La série se compose de cinq éléments couvrant les bandes W-CDMA 1, 2, 4, 5 et 8. Tous ces amplificateurs sont encapsulés dans des boîtiers standard de 3 mm de côté.

Par ailleurs, toujours dans le domaine de l’amplification de puissance RF, l’américain a annoncé une plate-forme destinée à adresser le segment du téléphone 3G d’entrée de gamme.
Celle-ci est architecturée autour des modules de transmission GSM/GPRS de la série RF323x (incluant PA, circuiterie de contrôle de puissance PowerStar, filtres, commutateur pHemt et port(s) W-CDMA) et des amplificateurs de puissance W-CDMA RF72xx.
Cette plate-forme supporte les chipsets développés par Qualcomm, Mediatek, Broadcom et ST-Ericsson.