Les RFHA3942 et RFHA3944 sont des modèles large bande délivrant une puissance crête de 35 W et 65 W, respectivement. Les deux derniers transistors de puissance en nitrure de gallium de RF Micro Devices sont des modèles non adaptés, conçus pour les applications large bande (jusqu’à 4 GHz).
En termes de linéarité, ils offriraient des performances supérieures à celles des transistors GaN émanant de la concurrence.

Référencés RFHA3942 et RFHA3944, ces transistors fournissent une puissance crête en onde entretenue de 35 W et 65 W, respectivement. Leur gain est typiquement de 15 dB.
Avec un signal IS95 présentant un facteur de crête de 9,8 dB à 2,1 GHz, l’ACPR (Adjacent channel power ratio) est de -43 dBc pour le premier cité (à un niveau de puissance de +34 dBm) et de -54 dBc pour le second (à un niveau de +37 dBm).
La société envisage d’ici un an de compléter son catalogue avec des versions 10 W et 95 W.