
Ciblant les applications en bande L, le nouveau venu est susceptible de délivrer 500 W entre 1,2 et 1,4 GHz, en mode pulsé et sous 50 V.
Il offre par ailleurs un gain de 16,5 dB et un rendement de 55 %.
Adapté à 50 Ohms afin de réduire le nombre de composants discrets alentour, le RFHA1027 est proposé dans un boîtier de 24 x 17,4 mm.
RFMD lance un transistor de forte puissance en GaN pour les applications en bande L