RFMD lance un transistor de forte puissance en GaN pour les applications en bande L

Le 26/06/2013 à 20:27 par Philippe Dumoulin

Destiné aux architectures radar existantes et à venir, le RFHA1027 développe 500 W en mode pulsé. Après les RFHA1020 (280 W, bande L) et RF3928 (280 W, bande S), RF Micro Devices introduit un nouveau transistor de puissance RF en nitrure de gallium conçu pour les architectures radar, nécessitant fiabilité et robustesse.
Ciblant les applications en bande L, le nouveau venu est susceptible de délivrer 500 W entre 1,2 et 1,4 GHz, en mode pulsé et sous 50 V.
Il offre par ailleurs un gain de 16,5 dB et un rendement de 55 %.
Adapté à 50 Ohms afin de réduire le nombre de composants discrets alentour, le RFHA1027 est proposé dans un boîtier de 24 x 17,4 mm.

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