Soitec annonce la production en volume de son substrat eSI pour les smartphones 4G/LTE

Le 03/12/2013 à 18:03 par Jacques zzSUEAYGhcIE

Ce produit permet la fabrication de circuits RF de haute performance à un coût compétitif. Il apporte une excellente isolation RF, une faible perte d’insertion, une meilleure conductivité thermique et une meilleure intégrité de signal par rapport aux autres technologies.

 

Soitec vient d’annoncer la mise en production industrielle de son substrat “Enhanced Signal Integrity” (eSI) permettant la fabrication de circuits radiofréquences à haute performance et à un coût compétitif. Innovants, basés sur la technologie Smart Cut de Soitec, les produits eSI sont les premiers substrats utilisant un matériau de type “trap-rich” à être mis en production. Ils sont déjà utilisés par les principales fonderies RF et ont été adoptés comme substrats privilégiés pour les applications informatiques mobiles et communication 4G/LTE.

Ces substrats, sur lesquels les circuits sont fabriqués, ont un impact significatif sur la performance des produits finaux. Les substrats eSI de Soitec sont obtenus en introduisant un matériau innovant (couche « trap-rich ») entre la couche hautement résistive (HR) du substrat support et l’oxyde enterré. Cette couche limite la conduction parasite de surface présente dans le HR-SOI standard, améliorant les performances des circuits RF, et comme elle est intégrée dans le substrat, le nombre d’étapes nécessaires au procédé de fabrication est réduit et les règles de dessin sont assouplies, d’où une diminution du coût de production et la possibilité d’atteindre pour une même fonction des puces de taille réduite. Les concepteurs de circuits RF peuvent donc intégrer des fonctions diverses telles que les commutateurs, les amplificateurs de puissance et des tuners d’antenne. Le substrat eSI leur apporte une excellente isolation RF, une faible perte d’insertion, une meilleure conductivité thermique et une meilleure intégrité de signal par rapport aux autres technologies(*).

Le produit eSI fait partie de la famille de produits Wave SOI de Soitec, et il complète la gamme de produits SOI haute résistivité (HR) de la société. Ces substrats HR-SOI sont déjà utilisés aujourd’hui dans la plupart des smartphones, faisant d’eux les substrats innovants privilégiés pour les commutateurs. Alors que le substrat HR-SOI standard est capable de répondre aux exigences 2G et 3G, les substrats eSI atteignent une linéarité et une isolation beaucoup plus élevées, permettant aux concepteurs de circuits de répondre aux besoins les plus poussés du 4G/LTE, à un coût compétitif.

(*) Le substrat eSI montre des pertes RF en-dessous de 0,15 dB/mm à 2 GHz, une amélioration du second harmonique de plus de 20 dB et du couplage de 20 dB à 1 GHz par rapport au HR-SOI standard (selon les données de l’Université catholique de Louvain en Belgique).Soitec a