Couvrant la bande de fréquence 2,5 GHz à 6 GHz, cet amplificateur en GaN sur SiC délivre une puissance de 30 W. Pour une grande variété d’applications dans les domaines des communications, de la Défense et de l’instrumentation de test, TriQuint Semiconductor a dévoilé un amplificateur de puissance HEMT 0,25 µm, réalisé selon un procédé nitrure de gallium sur substrat SiC.

Opérant dans la bande 2,5 GHz à 6 GHz, cet amplificateur référencé TGA2576-FL, adapté à 50 Ohms et avec condensateurs de blocage DC intégrés, délivre un peu plus de 30 W en saturation (45,5 dBm pour un niveau d’entrée de 26 dBm).
Proposé dans un boîtier dont les dimensions sont de 11,4 x 17,3 x 3 mm, il offre typiquement un rendement en puissance ajoutée de 35 % et un gain de 26 dB en régime de petits signaux.